Autor | RUSU, GEORGE MIHAIL G. chat |
Editura | Editura Universităţii „Alexandru Ioan Cuza” chat |
Loc publicare | Iași |
An | 2016 |
Subiect | Fizică chat |
Semiconductor (electricitate) chat | |
Microscopie electronică chat | |
Conducţie termică (fizică) chat | |
Termoelectricitate (fizică) chat | |
Absorbţie (optică) chat | |
Fotoconducţie chat | |
ISBN | 9786067141818 |
Note | Bibliogr. p. 351-365 |
Index |
Titlu | |
Titlu | Bazele fizicii semiconductorilor Vol. 4 : Conducţia termică. Efectele termoelectrice şi termomagnetice. Absorbţia luminii. Fotoconducţia. Fenomene de suprafaţă şi interfaţă |
Indici CZU | |
Indice de bază CZU | 537.311.322 |
535.34 | |
544.72 | |
536.2 | |
Titlu / Menţiuni de responsabilitate | |
Titlu | Bazele fizicii semiconductorilor |
Prima menţ. de resp. | George Mihail G. Rusu, Gheorghe I. Rusu |
Urm. menţ. de responsabilitate | referenți științifici: Ștefan Antohe, Lucian Ion, Mihaela Girtan |
Numărul părţii | Vol. 4 |
Desemnarea gen. a materialului | Carte tipărită |
Numele părţii | Conducţia termică. Efectele termoelectrice şi termomagnetice. Absorbţia luminii. Fotoconducţia. Fenomene de suprafaţă şi interfaţă |
Nume de persoană / resp. intelectuală primară | |
Autor principal | RUSU, GEORGE MIHAIL G. |
Nume de persoană / resp. intelectuală alternativă | |
Autor alternativ | Rusu, Gheorghe I. |
Nume de persoană / resp. intelectuală secundară | |
Autor secundar | Antohe, Ștefan |
Cod de legătură | referent ştiinţific |
Autor secundar | Ion, Lucian |
Cod de legătură | referent ştiinţific |
Autor secundar | Girtan, Mihaela |
Cod de legătură | referent ştiinţific |
ISBN | |
Număr ISBN | 9786067141818 |
Alt sistem de control al numerelor | |
Cotă | 53/R96 |
C.III.12613 | |
Număr (indice) CZU | |
Număr (indice) CZU | 537.311.322 |
535.34 | |
544.72 | |
536.2 | |
Alte clasificări | |
Alte clasificări - Numărul clasei | 50/54 |
Vedetă de subiect ca subiect | |
Subiect | Fizică |
Semiconductor (electricitate) | |
Microscopie electronică | |
Conducţie termică (fizică) | |
Termoelectricitate (fizică) | |
Absorbţie (optică) | |
Fotoconducţie | |
Limba resursei | |
Limba textului | rum |
Ţara de publicare sau producţie | |
Ţara de publicare | Romania |
Publicare, distribuţie | |
Loc publicare | Iași |
Editura | Editura Universităţii „Alexandru Ioan Cuza” |
Data publicării | 2016 |
Descriere fizică | |
Desemnarea specifica a mat. | 373 p. |
Alte detalii fizice | fig., tab. |
Notă generală | |
Textul notei | Bibliogr. p. 351-365 |
Index | |
Notă de rezumat/abstract | |
Abstract/Sumar | CUPRINS PREFAŢĂ9 CAPITOLUL XI. FENOMENE DE TRANSPORT ÎN PREZENŢA GRADIENŢILOR DE TEMPERATURĂ11 11.1.Conducţia termică11 11.1.1.Introducere11 11.1.2.Conducţia termică electronică. Consideraţi generale12 11.1.3.Conducţia termică electronică în semiconductori de tip n 14 11.1.4.Conducţia termică electronică în semiconductori de tip p 24 11.1.5.Conducţia termică electronică în semiconductori cu conducţie mixtă26 11.1.6.Concluzii finale asupra conducţiei termice însemiconductori27 11.2.Efecte termoelectrice30 11.2.1 Consideraţii generale30 11.2.2.Efectul Seebeck31 11.2.3.Teoria efectului Seebeck 34 11.2.4.Efectul Peltier (efectul electrotermic)43 11.2.5.Efectul Thomson45 11.3.Efecte termomagnetice49 11.3.1.Consideraţii generale49 11.3.2.Efectul Ettingshausen50 11.3.3.Efectul Nernst .54 11.3.4.Efectul Righi-Leduc transversal58 11.3.5.Efecte termomagnetice în semiconductori puternic degeneraţi60 CAPITOLUL XII. DIFUZIA ÎN MATERIALE SEMICONDUCTOARE63 12.1.Introducere63 12.2.Legile difuziei 65 12.3.Autodifuzia67 12.3.1.Consideraţii generale67 12.3.2.Difuzia prin schimb de poziţi atomice69 12.3.3.Difuzia pe vacanţe70 12.3.4.Difuzia pe interstiţii75 12.4.Fleterodifuzia. Efectul Kirkendall76 12.5.Impurificarea controlată a materialelor semiconductoare prin difuzie82 12.6.Influenţa impurităţilor ionizate asupra difuziei85 12.7.Difuzia purtătorilor de sarcină89 CAPITOLUL XIII. STATISTICA Şl CINETICA PURTĂTORILOR DE NEECHILIBRU ÎN SEMICONDUCTORI93 13.1.Consideraţii generale93 13.2.Concentraţiile purtătorilor de sarcină de neechilibru. Cvasinivele Fermi98 13.3.Generarea bipolară a purtătorilor de sarcină de neechilibru. Variaţia în timp a concentraţiei102 13.4.Generarea monopolară a purtătorilor de sarcină de neechilibru110 13.5.Difuzia monopolară a purtătorilor de neechilibru. Lungime de difuzie113 13.6.Difuzia bipolară a purtătorilor de neechilibru118 13.7.Curenţi de drift şi de difuzie în semiconductori. Ecuaţii de continuitate121 13.7.1.Consideraţii generale121 13.7.2.Relaţiile lui Einstein123 13.7.3.Ecuaţii de continuitate pentru purtătorii de sarcină de neechilibru 126 13.7.4.Coeficientul de difuzie bipolară. Mobilitatea de drift bipolară131 13.7.5.Lungimea de atenuare135 CAPITOLUL XIV. FENOMENE OPTICE ŞI FOTOELECTRICE ÎN SEMICONDUCTORI143 14.1.Absorbţia radiaţiei electromagnetice în semiconductori143 14.1.1.Consideraţii generale143 14.1.2.Absorbţia intrinsecă148 14.1.3.Absorbţia extrinsecă158 14.1.4.Absorbţia pe purtătorii de sarcină liberi164 14.1.5.Absorbţia pe vibraţiile reţelei cristaline167 14.1.6.Absorbţia excitonică170 14.1.7.Consideraţii finale173 14.2.Fotoconducţia în semiconductori176 14.2.1.Introducere176 14.2.2.Ecuaţiile fundamentale ale fotoconducţiei. Randament cuantic180 14.3.Fotoconducţia intrinsecă187 14.4.Fotoconducţia extrinsecă194 14.5.Fotoconducţia purtătorilor liberi205 14.6.Alte tipuri de fotoconducţie207 14.7.Efectul Dember211 14.8.Efectul fotomagnetic215 14.9.Luminiscenţa în semiconductori222 14.10.Unele consideraţii finale226 CAPITOLUL XV. FENOMENE DE SUPRAFAŢĂ ŞI INTERFAŢĂ ÎN SEMICONDUCTORI229 15.1.Consideraţii generale229 15.2.Clasificarea suprafeţelor cristalelor232 15.3.Sorbţia şi desorbţia la suprafaţă235 15.4.Structura cristalină a suprafeţelor238 15.5.Vibraţii de suprafaţă247 15.6.Stări energetice de suprafaţă256 15.6.1.Consideraţii teoretice256 15.6.2.Tipuri de stări energetice de suprafaţă262 15.7.Formarea straturilor de sarcină superficială265 15.8.Caracteristicile stratului de sarcină spaţială270 15.9.Interfaţa metal-semiconductor277 15.9.1.Introducere277 15.9.2.Mărimi caracteristice. Diagrama de benzi energetice277 15.9.3.Caracteristica curent-tensiune284 15.10.Homojoncţiunea p-n295 15.10.1.Consideraţii generale295 15.10.2.Mărimi caracteristice. Diagrama de benzi energetice298 15.10.3.Caracteristica curent-tensiune308 15.10.4.Unele observaţii asupra homojoncţiunilor p-n314 15.11.Unele consideraţii asupra heterojoncţiunilor semiconductoare316 15.11.1.Generalităţi316 15.11.2.Diagrama de benzi energetice 319 15.11.3.Caracteristicile curent-tensiune323 ANEXA XI.1. EFECTUL DE ANTRENARE FONONICĂ325 ANEXA XI.2. DEDUCEREA UNOR EXPRESII FOLOSITE LA STUDIUL CONDUCŢIEI TERMICE ŞI A EFECTELOR TERMOELECTRICE330 ANEXA XI.3. VALORI NUMERICE ALE UNOR MĂRIMI CARE INTERVIN ÎN EFECTELE TERMOELECTRICE ŞI TERMOMAGNETICE334 ANEXA XIII. 1. RECOMBINAREA AUGER ÎN SEMICONDUCTORI338 ANEXA XIV.1. EXCITONI ÎN REŢEAUA CRISTALINĂ A SEMICONDUCTORILOR340 ANEXA XIV.2. FOTOCONDUCŢIA ÎN CAZUL ABSORBŢIEI NEUNIFORME 344 CUVÂNT DE ÎNCHEIERE349 BIBLIOGRAFIE351 CONSTANTE FIZICE FUNDAMENTALE367 INDEX369 |
Barcode/Nr. Inventar | Număr/Ediție | Localizare | Regim resursa | Disponibil | Cota | |
---|---|---|---|---|---|---|
1. | 573584 / 573584 | A | Împrumut | Da | 53 | |
2. | 573583 / 573583 | L | Împrumut la sala de lectură | Da | 53 |
Gestiune | Regim imprumut | Ex. | Acțiune |
---|---|---|---|
A | Împrumut | 1 |
|
L | Împrumut la sala de lectură | 1 |
|